6月3日晚间，高德红外发布公告称公司碲镉汞制冷型红外焦平面阵列探测器项目通过科技成果评价。这是高德红外继掌握非制冷1280 x 1024@12μm红外探测器芯片研制技术后，在制冷型大规模探测器芯片领域取得的又一重大突破。

结合公司现已建成的制冷探测器芯片批产线优势，该碲镉汞制冷型红外焦平面阵列探测器芯片的研制成功将大幅度提升高端红外热成像产品性能指标，为我国大面阵、小像元碲镉汞红外焦平面探测器芯片产业化扫除障碍，打破红外成像系统中高端核心芯片的技术垄断、实现进口替代，有力促进了我国高端碲镉汞材料和探测器芯片产业核心能力的提升。

高德红外是一家以“研产销”红外热像仪为核心的综合光电系统及配套产品公司， 2018年红外热像仪及综合光电系统业务为高德红外贡献了近60%的营收。

公告提到， 公司研制的1280 x 1024规模、12μm像元尺寸的制冷型探测器芯片使用的敏感材料、最大面阵及最小像元等指标都代表着我国制冷型红外探测器芯片研发与制造的最高水平，大幅提升了红外热像仪系统的空间分辨率，提高了探测距离、识别距离，大力推动了红外焦平面探测器芯片技术朝大面阵规格、小像元尺寸方向发展，为我国关键基础材料和核心元器件技术的快速发展提供重要保障。