基于长期积累的化合物光半导体制造技术，日前，滨松公司成功实现世界首例中红外光化合物半导体器件（TypeⅡ超晶格红外探测器件）P15409-901的量产，该器件可检测波长至14.3μm的中红外光，且符合欧盟RoHS标准，不含水银和镉。该器件进入市场，有望替代现有分析仪器中含有RoHS限制物质的光接收器件。

P15409-901中红外光化合物半导体器件是将铟和砷的化合物InAs和镓和锑的化合物GaSb，分别以数纳米的厚度的薄膜，在基板上交替层叠形成的一种特殊结构的化合物半导体器件。探测可见光主要采用的是由硅材料制成的光学半导体器件，但想要检测波长比可见光长的中红外光，需要使用组合多种材料的化合物半导体器件。滨松此前已经成功开发并销售了铟、砷和锑材料可以检测11μm的光学半导体器件。到目前为止，滨松公司采用InAs和GaSb薄膜交替层叠在基板上的特殊结构已经实现了波长大于11μm的中红外光的检测，但为了实现量产，还需要配套更高要求的生产技术。

此次，滨松利用化合物光半导体器件的制造技术积累，在实现精密控制生产设备的同时，优化了生产条件，建立了一种可以使均匀厚度的InAs和GaSb薄膜进行精确地交替层叠的制造技术，是世界上首例符合RoHS标准，不含RoHS指令中限制物质水银和镉，能够检测至14.3μm的TypeII超晶格红外探测器。

以傅里叶变换红外分光光度计为代表，目前利用中红外光，组装于分析仪器中用于分析大气、食品、药剂中等所包含物质的光接收器件，都含有限制物质，本产品预计会替代这部分器件。此外，有望取代组装于气体成分分析仪器、物体表面温度非接触高灵敏度、高度测量装置中现有的光接收器件。同时，为实现更长波长、高灵敏度，滨松将继续推进本产品相关模块化产品的开发。