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我国首款MEMS磁通门传感器在中国电科诞生,技术达
到国际先进水平

发布时间:2026-1-29     来源:中国电科第九研究所(CETC 9)    编辑:衡盛楠    审核:张经纬 王静

2025年末,中国电子科技集团公司第九研究所(又名:西南应用磁学研究所(SIAM))在高性能弱磁场传感器领域迎来里程碑式进展——成功研制出我国首款MEMS磁通门传感器工程化产品。MEMS磁通门作为一种高精度弱磁场传感器,能够感应外界微弱的直流或低频磁场,可广泛应用于弱磁探测、姿态测量/导航、电流检测等领域。

关于中国电科第九研究所:该研究所位于四川省绵阳市,是全国唯一综合性磁应用技术研究所、中央事业单位、国家磁性材料及器件核心能力研制单位,承担了国防电子装备领域关键磁性元器件、微波毫米波器件等研发生产,是国内唯一涵盖磁性材料(永磁、旋磁、软磁)及器件各专业领域的国家一类骨干研究所,技术成果和产品广泛用于海、陆、空、天领域的国防技术装备中,是国防工业中不可或缺的军工科研力量。中国电科第九研究所于2016年加入中电科重庆声光电磁子集团。 


中国电科第九研究所研制的MEMS磁通门传感器

MEMS磁通门传感器项目启动时,科研团队瞄准微型化集成、薄膜磁心材料、MEMS制造工艺、测试优化等科研难题,依托中国电科第九研究所的磁性微纳工艺平台,整合国内行业优势资源。通过多重光刻与梯度电镀技术、磁心图案化设计与退火工艺的协同优化等创新,历经数十轮工艺迭代,团队不断突破工艺极限,成功攻克了薄膜磁心微米级定位、高可靠性超高厚度铜柱制备等关键技术难题。这使得MEMS磁通门传感器尺寸缩小50%以上,器件性能跃升至全新高度,推动了高性能磁心的批量制造,实现了低噪声、微型化MEMS磁通门传感器在“产学研用”方面的深度融合。

中国电科第九研究所利用MEMS技术实现了磁传感器核心部件的微型化加工,突破了从器件设计到材料制备等多项核心关键技术,成功研制出我国首款MEMS磁通门传感器工程化产品。该产品有效解决了传统高精度矢量传感器存在的体积大、功耗高、集成度低等问题,其技术达到国际先进水平。

展望未来,面向电子装备集成化、智能化发展趋势,中国电科第九研究所科研团队将深度挖掘并响应磁传感应用各细分领域的核心需求,着力突破专用接口芯片、智能算法等关键技术,提供定制化磁感知与探测解决方案,推动我国打造良性发展的高端磁传感器核心材料、工艺、器件及应用生态系统。

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